[发明专利]一种具有N型电流拓展层的发光二极管外延结构有效

专利信息
申请号: 202210294401.7 申请日: 2022-03-24
公开(公告)号: CN114613890B 公开(公告)日: 2023-10-20
发明(设计)人: 刘康;展望;芦玲 申请(专利权)人: 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
主分类号: H01L33/14 分类号: H01L33/14;H01L33/04;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00
代理公司: 淮安市科文知识产权事务所 32223 代理人: 谢观素
地址: 223001 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种具有N型电流拓展层结构的发光二极管外延结构,包括由下耳上生长的衬底、缓冲层、U型半导体层、N型半导体层、有源层和P型半导体层,N型半导体层包括由下而上生长的N型半导体层一、N型电流拓展层、N型半导体层二,N型电流拓展层包括由下而上生长的轻掺杂Si的AlxGa1‑xN层、超重掺杂Si的N型GaN层、低掺杂Si的AlxInyGa(1‑x‑y)N/GaN超晶格层。通过加入轻掺杂Si的AlxGa1‑xN层,使此层中Al的高能级的屏障作用约束电子的流动方向,促使其横向扩展。解决了N型半导体层在做芯片电极的存在电流扩展不足,电压偏高,漏电偏大的问题。起到了增加电流扩展,降低电压的效果。
搜索关键词: 一种 具有 电流 拓展 发光二极管 外延 结构
【主权项】:
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