[发明专利]一种提升抗静电能力的GaN基LED外延结构在审

专利信息
申请号: 202210294409.3 申请日: 2022-03-24
公开(公告)号: CN114613889A 公开(公告)日: 2022-06-10
发明(设计)人: 潘超;杨辉;徐东;倪瑞 申请(专利权)人: 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
主分类号: H01L33/02 分类号: H01L33/02;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00
代理公司: 淮安市科文知识产权事务所 32223 代理人: 谢观素
地址: 223001 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种提升抗静电能力的GaN基LED外延结构及其制备方法,低温pGaN层之间和pAlGaN层之间增加插入层,所述插入层为AlN层;或,所述插入层为InxAl1‑xN层,其中0x0.3;或,所述插入层为AlN与InxAl1‑xN复合层,其中0x0.3。本发明改进该插入层结构,通过异质结界面变得光滑,使P‑AlGaN层应力分布均匀,穿透位错降低,进而起到了提高LED芯片抗静电能力的效果。
搜索关键词: 一种 提升 抗静电 能力 gan led 外延 结构
【主权项】:
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