[发明专利]一种具有新型复合电子阻挡层的发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202210294419.7 | 申请日： | 2022-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN114613891A | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 郑金凤;张雷城;展望;芦玲 | 申请（专利权）人： | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/04;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 淮安市科文知识产权事务所 32223 | 代理人： | 谢观素 |
| 地址： | 223001 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有新型复合电子阻挡层的发光二极管及其制备方法，其电子阻挡层包括AlN单层和设置在AlN单层上的p型AlN/AlGaN/AlInGaN超晶体结构层，p型AlN/AlGaN/AlInGaN超晶体结构层为AlN子层、ALGaN子层、AlInGaN子层依次交替生长的结构层。本申请增加了复合电子阻挡层结构，通过AlN单层减小了电子阻挡层与多量子阱层及p型GaN层之间的晶格失配作用，并降低多量子阱层中的电子泄露；通过超晶体结构层并掺入Mg增强了电子阻挡效应，提高了空穴向多量子阱的注入率，增强了多量子阱中电子与空穴的复合效率，提高发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 新型 复合 电子 阻挡 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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