[发明专利]一种可控生长的WSe2有效

专利信息
申请号: 202210295154.2 申请日: 2022-03-24
公开(公告)号: CN114717650B 公开(公告)日: 2023-08-22
发明(设计)人: 罗中通;郑照强 申请(专利权)人: 广东工业大学
主分类号: C30B23/00 分类号: C30B23/00;C30B29/46;G01N21/84
代理公司: 广东广信君达律师事务所 44329 代理人: 熊冰
地址: 510062 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明属于过渡金属硫族化合物二维材料技术领域,公开了一种可控生长的WSe2薄片及其制备方法和应用。该方法是先将氩气气流从SiO2/Si衬底流向WSe2粉末方向并调节压力,将氩气流速降至30~50sccm,同时升温至1100~1130℃时,将氩气流速降至0sccm,并将氩气气流改为从WSe2粉末流向SiO2/Si衬底的方向,将氩气流速升至100~130sccm,在1100~1130℃下生长8~15min,在通气的条件下冷却至室温,得到可控生长的WSe2薄片。本发明通过控制反应时间和气流速率实现WSe2薄片的可控生长,使WSe2具有不同晶相和层数,为制备新型的光电探测器提供可能性。
搜索关键词: 一种 可控 生长 wse base sub
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