[发明专利]一种基于SiC MOSFET的1000A大容量半桥功率模块及制作工艺在审
| 申请号： | 202210297068.5 | 申请日： | 2022-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN114695295A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 王来利;杨俊辉;赵成;袁天舒;吴世杰;聂延 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/49;H01L25/07;H01L25/16;H01L21/50;H02M1/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 王艾华 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及电力半导体封装领域，尤其涉及一种基于SiC MOSFET的1000A大容量半桥功率模块及制作工艺，其功率模块包括外壳、铜基板、功率母排和三块DBC子单元，所述DBC子单元为半桥拓扑；所述DBC子单元包括DBC基板和至多十二个SiCMOSFET芯片，多个所述SiCMOSFET芯片对称并联设置于DBC基板上，所述功率母排与DBC基板连接；所述DBC基板上设有导电柱，所述导电柱用于连接外接驱动信号端子。本发明优化了现有技术中存在的SiC器件多芯片并联使用时电流分配不均的问题，降低了模块的寄生电感，提高散热能力，同时兼容传统的键合线工艺和焊接工艺，适宜于在工业生产中推广应用，获得的产品额定电流为1000A，实现了半桥功率模块电流容量的突破。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 sic mosfet 1000 容量 功率 模块 制作 工艺 | ||
【主权项】：
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