[发明专利]一种浅结扩散发射极的晶硅太阳能电池的制备方法及其应用有效
| 申请号： | 202210297638.0 | 申请日： | 2022-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN114695598B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 任勇;何悦;任海亮;郭帅;王在发;李增彪 | 申请（专利权）人： | 横店集团东磁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/223 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 边人洲 |
| 地址： | 322118 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种浅结扩散发射极的晶硅太阳能电池的制备方法及其应用。所述制备方法包括扩散工艺和链式氧化工艺；所述扩散工艺包括低温扩散和高温推进，所述链式氧化工艺包括高温链式氧化。本发明首先通过扩散工艺的优化，制备了0.15um深的低掺杂扩散浅结，同时，利用高温链式氧化的光子热激活辐射能，在扩散层表面形成一定剂量浓度的掺杂，来解决后续与银浆形成合金欧姆接触的失配问题，最终获得了较高的光电转换效率提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 扩散 发射极 太阳能电池 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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