[发明专利]异质结双极型晶体管的外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210300216.4 | 申请日： | 2022-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN114725191A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 樊永辉;许明伟;樊晓兵 | 申请（专利权）人： | 深圳市汇芯通信技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/20;H01L29/737;H01L21/331 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 陈舟苗 |
| 地址： | 518035 广东省深圳市福田区华富街道莲*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种异质结双极型晶体管的外延结构及其制备方法，该方法包括：在砷化镓GaAs衬底上外延形成n型惨杂的砷化铝镓AlGaAs发射层；在发射层上外延形成p型惨杂的砷化镓GaAs基极层；在基极层上外延形成n型惨杂的氮化镓GaN系材料的集电层。在HBT器件的实际应用中，由于采用GaN系材料作为集电层，可以使用较高的工作电压，从而有利于增加该HBT器件的输出功率，克服GaAs HBT器件的功率限制，以及更好地满足5G通信高频与高功率的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结双极型 晶体管 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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