[发明专利]制备柔性单晶硅薄膜半导体器件及柔性单晶硅薄膜的方法在审
| 申请号： | 202210300421.0 | 申请日： | 2022-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN114783864A | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 戚佳斌;李忠贤;赵毅 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技南湖研究院 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/683 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 杨天娇 |
| 地址： | 314002 浙江省嘉兴市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备柔性单晶硅薄膜半导体器件及柔性单晶硅薄膜的方法，以单晶硅片为基础，通过应力缓冲膜沉积、牺牲层沉积、牺牲层键合、单晶硅片减薄、保护膜沉积、半导体芯片高温制备、聚合物涂覆、水溶性湿法刻蚀工艺形成柔性单晶硅薄膜半导体器件，以及通过应力缓冲膜沉积、牺牲层沉积、牺牲层键合、单晶硅片减薄、聚合物涂覆、水溶性湿法刻蚀工艺形成柔性单晶硅薄膜。采用水溶性GeO基无机化合物作为牺牲层，绿色环保、刻蚀速度快，并兼容半导体芯片高温制备工艺，大大提高半导体器件性能，生产效率高、良品率高、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 柔性 单晶硅 薄膜 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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