[发明专利]铈锂双掺氯化铯锆闪烁晶体及其制备与在中子/γ射线双探测中的应用

摘要

本发明公开了一种铈锂双掺氯化铯锆闪烁晶体，该晶体是以设定比例的非等价单元取代晶体中的ZrCl6八面体形成的Cs2Zrx/(Ce6Li)1‑xCl6体系；其分子式为Cs2Zrx/(Ce6Li)1‑xCl6，其中0＜x＜1。本发明以所述闪烁晶体的制备方法为例公开了一种非等价单元共取代策略，即将非等价元素以一个单元的形式取代，该策略可以应用于Cs2ZrCl6晶体的设计与改进。本发明还公开了所述铈锂双掺氯化铯锆闪烁晶体在中子/γ射线双探测中的应用。实验证实：本发明的晶体光致发光光谱显示Ce已成功掺入晶体，且自吸收很低，在430nm处为Ce3+的发光，506nm处为自陷激子发光。预示其作为制备中子/γ射线双探测材料具有广阔的应用前景。