[发明专利]一种铋取代稀土铁石榴石单晶厚膜制备方法在审
| 申请号： | 202210310658.7 | 申请日： | 2022-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN114657631A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 杨青慧;黄建涛;张鼎;张元婧;李涵;俞靖彦;张怀武 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C30B19/10 | 分类号： | C30B19/10;C30B19/06;C30B19/04;C30B19/12;C30B29/28 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明属于磁性石榴石单晶膜制备领域，具体提供一种铋取代稀土铁石榴石单晶厚膜制备方法，用于解决液相外延生长的铋取代稀土铁石榴石单晶厚膜容易产生晶体缺陷、开裂、剥落等难题，进而提高制备良品率。本发明采用液相外延法在SGGG基片上生长单晶石榴石厚膜，生长过程中，基片的旋转速度采用N阶变化：基片的第一阶旋转速度至第N阶旋转速度依次设置为R |
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| 搜索关键词： | 一种 取代 稀土 铁石 榴石单晶厚膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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