[发明专利]薄且均匀的银纳米线、合成方法和由所述纳米线形成的透明导电膜在审
| 申请号： | 202210312480.X | 申请日： | 2018-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN114596978A | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 胡永星;李英熙;杨希强;静·顺·安格;阿加依·维尔卡 | 申请（专利权）人： | C3奈米有限公司 |
| 主分类号： | H01B1/22 | 分类号： | H01B1/22;H01B5/02;H01B5/14;H01B13/012;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘锋 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及薄且均匀的银纳米线、合成方法和由所述纳米线形成的透明导电膜。本发明描述了高度均匀且薄的银纳米线，其具有低于20纳米的平均直径以及小的直径标准偏差。所述银纳米线具有高的高宽比。所述银纳米线的特征可在于具有大于18纳米的直径且在稀溶液中具有蓝移的窄吸收光谱的少量纳米线。描述了允许合成窄且均匀的银纳米线的方法。由薄且均匀的银纳米线形成的透明导电膜可具有非常低水平的雾度和低ΔL*(漫射发光度)值，使得所述透明导电膜可提供黑色背景的外观的极小改变。 | ||
| 搜索关键词： | 均匀 纳米 合成 方法 线形 透明 导电 | ||
【主权项】：
暂无信息
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