[发明专利]利用干冰对电子级多晶硅进行清洗的方法在审
| 申请号： | 202210313946.8 | 申请日： | 2022-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN114769219A | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 李波;神干;卢文;耿庆智;陆金鸽 | 申请（专利权）人： | 江苏鑫华半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B08B7/00 | 分类号： | B08B7/00;B08B13/00;C01B33/037 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 徐章伟 |
| 地址： | 221004 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了利用干冰对电子级多晶硅进行清洗的方法。该方法包括：在对破碎得到的多晶硅料进行筛分的过程中，以保护气或压缩空气为载气，利用干冰对所述多晶硅料进行吹扫清洗，其中：吹扫的压力为6～8公斤力，吹扫的流速为0.8～1.2m/s。由此，该方法操作简单、方便，无需任何湿化学处理，不仅可以有效去除各个处理过程中可能引入的油脂，还能实现附着在硅块表面的硅粉、非硅物与硅块的有效分离，减少硅块表面的颗粒物，进而减少被带入酸洗机内的污染物。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 干冰 电子 多晶 进行 清洗 方法 | ||
【主权项】：
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