[发明专利]一种半导体器件的制作方法在审
| 申请号： | 202210318003.4 | 申请日： | 2022-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN116936461A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 寇新秀;孟昭生 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 266246 山东省青岛*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制作方法，在形成半导体器件的工艺流程中引入对低k介质层进行疏水化处理的步骤，利用具有疏水基团的反应气体与低k介质层表面的亲水基团进行反应，将低k介质层表面的亲水基团替换为疏水基团，使得低k介质层表面形成疏水材料层，一方面能够大大降低介质层的吸水性，避免介质层的k值出现漂移，从而保证半导体器件的稳定性；另一方面，亲水基团被反应气体中含有碳氧双键的疏水基团替换，由于碳氧双键具有较大的键能，因此能够大大提高介质层的抗变形能力，提高半导体器件的可靠性。另外，本发明提供的半导体器件的制作方法操作简单、成本低廉，制作过程中没有引入杂质原子，节省了制作成本，提高了制作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
