[发明专利]一种接触孔的制备方法在审
| 申请号： | 202210318048.1 | 申请日： | 2022-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN116936462A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 王远 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 266246 山东省青岛*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种接触孔的制备方法，利用图案化的光刻胶层在层间介质层中形成初始接触孔后，去除图案化的光刻胶层，再以初始接触孔为窗口刻蚀半导体衬底形成接触孔。在去除图案化光刻胶层的过程中，同时能够去除形成初始接触孔时产生的聚合物，避免聚合物附着于初始接触孔中对下一步形成接触孔产生影响，使最终形成的接触孔中基本没有聚合物残留，从而有效改善后续接触孔金属填充的效果，达到提高产品良率的目的；此外，与现有技术中通过真空泵抽离聚合物的方法相比，上述清除聚合物的过程避免了对反应腔室和器件的污染，有效提高了产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接触 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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