[发明专利]通孔填充方法及通孔填充装置在审
| 申请号： | 202210319015.9 | 申请日： | 2022-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN114743928A | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 陈蓉;李易诚;曹坤;单斌;张净铭;严谨;齐子廉 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴辉燃 |
| 地址： | 430070 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种通孔填充方法及通孔填充装置，该通孔填充方法包括以下步骤：在基体上刻蚀通孔，通孔的底壁为第一表面，通孔的侧壁为第二表面；使用ALD工艺将第一前驱体导向所述第一表面和所述第二表面以形成第一填充层；使用CVD工艺将第二前驱体导向所述通孔内以形成第二填充层。上述通孔填充方法中，采用ALD工艺和CVD工艺结合的方法来填充通孔，能同时兼顾填充质量和填充效率，能更好地满足通孔尤其是高深宽比的通孔的填充需要。 | ||
| 搜索关键词： | 填充 方法 装置 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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