[发明专利]一种基于C面蓝宝石衬底的半极性锥形LED结构在审
| 申请号： | 202210322928.6 | 申请日： | 2022-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN114784163A | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 王宇轩;黄永;陈兴;吴勇 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学芜湖研究院 |
| 主分类号： | H01L33/24 | 分类号： | H01L33/24;H01L33/32;H01L33/18;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 芜湖思诚知识产权代理有限公司 34138 | 代理人： | 房文亮 |
| 地址： | 241000 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于C面蓝宝石衬底的半极性锥形LED结构，涉及半导体技术领域，包括C面蓝宝石衬底、GaN成核层、非故意掺杂GaN层、n‑GaN层、InGaN/GaN超晶格前阱、InGaN/GaN多量子阱发光层、AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层、p‑GaN层、反光层以及金属电极，本发明的结构中p型层与下部结构接触的表面积增加，从而提高了p型层的面积，增加了空穴注入量，进而增强了复合作用和发光效能，锥形顶角为一特定角度，使InGaN/GaN多量子阱发光层沿112面生长，降低了极化作用的影响，InGaN/GaN多量子阱发光层由于与空气界面接触面积更大，提高了光提取效率，样品生长更加均匀，提高了显色指数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 蓝宝石 衬底 极性 锥形 led 结构 | ||
【主权项】：
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