[发明专利]光学器件的形成方法在审
| 申请号： | 202210325681.3 | 申请日： | 2022-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN116931171A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 殷霞革;冯霞;陈晓军;张冬生;吴家亨 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/136 | 分类号： | G02B6/136;G02B6/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种光学器件的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括耦合区；在所述衬底上形成第一介质层；在所述耦合区上的第一介质层内形成初始波导沟槽；在所述第一介质层表面和所述初始波导沟槽内形成图形化层，所述图形化层暴露出至少部分初始波导沟槽底部；以所述图形化层为掩膜，刻蚀所述第一介质层，以形成位于所述衬底上的波导结构，所述波导结构包括位于所述耦合区上的波导末端结构。所述半导体结构的形成方法提升了小尺寸波导的制成工艺稳定性，降低了光传播过程中的耦合损耗，提升了光传播效率。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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