[发明专利]一种高吸收、宽光谱黑硅复合材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202210325722.9 | 申请日： | 2022-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN114686806A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 米冠宇;吕坚;阙隆成;周云;黄建;刘钟远;谭成 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/02 | 分类号： | C23C14/02;C23C14/06;C23C14/35;H01L31/0236;H01L31/028;H01L31/18 |
| 代理公司： | 成都行之智信知识产权代理有限公司 51256 | 代理人： | 马丽青 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高吸收、宽光谱黑硅复合材料及其制备方法。包括对硅衬底进行黑硅化处理，得到黑硅，所述黑硅表面具有尖锥阵列；向黑硅表面溅射沉积TiN纳米颗粒。本发明利用“黑硅化”在传统硅表面形成均匀、大面积尖锥状黑硅结构；再利用“黑硅表面沉积TiN纳米颗粒”，使得黑硅表面微结构更加复杂，增加了光在黑硅尖锥间的反射次数，材料吸收率获得提升；同时通过磁控溅射，在尖锥状黑硅表面沉积TiN纳米颗粒，利用等离激元共振效应实现可见到红外波段光谱的拓宽。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 吸收 光谱 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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