[发明专利]一种降低中抗拉锂电铜箔单位面积质量极差的方法在审
| 申请号： | 202210330584.3 | 申请日： | 2022-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN114635169A | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 宗道球;周加珍;洪炳华;聂济涛 | 申请（专利权）人： | 九江德福科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C25D3/38 | 分类号： | C25D3/38;C25D1/04 |
| 代理公司： | 北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙) 11210 | 代理人： | 王珂 |
| 地址： | 332000 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低中抗拉锂电铜箔单位面积质量极差的方法，该方法包括以下步骤：S1将硫酸铜电解液储存在净液罐；S2光亮剂、走位剂和整平剂分别储存，光亮剂为对硫二丙烷磺酸钠与氯离子的混物，走位剂为聚乙烯亚胺烷基化合物，整平剂为胶原蛋白；S3将添加剂加入到添加剂储液罐中；S4添加剂流向净液罐，添加剂和电解液输送至生箔系统电解生箔。该方法依靠合理的电解液和添加剂配比，工作温度流速合理，使得氯离子和SPC相配合使生产的铜箔表面平滑细腻，高电位被整平剂吸附，走位剂为镀层提供良好的分散性，进一步使铜箔表面平整，从而降低中抗拉锂电铜箔单位面积质量极差，达到锂电池储存更多能量、提高电流循环使用寿命的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 中抗拉锂电 铜箔 单位 面积 质量 极差 方法 | ||
【主权项】：
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