[发明专利]半导体结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202210331708.X | 申请日： | 2022-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN115249652A | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 高韵峯;姜慧如 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明实施例的一种晶体管器件包括：源极电极及漏极电极；鳍结构，在源极电极与漏极电极的相应侧壁之间延伸且接触源极电极的相应侧壁及漏极电极的相应侧壁；半导体沟道层，位于鳍结构的上表面及侧表面之上，且包括位于鳍结构的侧表面之上的第一垂直部分及第二垂直部分，且半导体沟道层的第一垂直部分及第二垂直部分二者接触源极电极的相应侧壁及漏极电极的相应侧壁；栅极介电层，位于半导体沟道层之上；以及栅极电极，位于栅极介电层之上。通过在源极电极的侧壁与漏极电极的侧壁之间延伸的鳍结构之上形成半导体沟道层，可增大半导体沟道层与源极电极及漏极电极之间的接触区域，此可在不增大器件大小的条件下为晶体管器件提供增大的驱动电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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