[发明专利]硅基集成光电探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 202210335988.1 | 申请日： | 2022-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN116936654A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 刘巧莉;陈年域;胡安琪;郭霞 | 申请（专利权）人： | 北京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L31/0232 | 分类号： | H01L31/0232;H01L31/105;H01L31/107;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘慧;黄健 |
| 地址： | 100876 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请提供一种硅基集成光电探测器及其制备方法，包括硅光波导、波长转换波导和硅光电探测器，硅光波导用于接收并传输入射光，入射光其波长大于1100nm；波长转换波导设置于硅光波导的后方，用于波长下转换，将入射光转换为波长小于1100nm的转换光；硅光电探测器设置于波长转换波导的后方，用于将接收到的光信号转换为电信号。该结构可实现通信波段硅基集成光电探测，且由于硅材料晶格完整，探测的灵敏度高。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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