[发明专利]一种焊球凸点结构及其制备方法在审
申请号: | 202210336230.X | 申请日: | 2022-03-31 |
公开(公告)号: | CN114695149A | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 李宝霞;杨宇军;刘建军;任鹏 | 申请(专利权)人: | 西安微电子技术研究所 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/488 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 高博 |
地址: | 710000 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于先进电子封装技术领域,具体涉及一种焊球凸点结构及其制备方法。因复合凸点结构中位于焊球凸点顶部的焊料层的熔点低于焊球凸点自身的熔点,所以在上述复合凸点与其它芯片或基板焊盘键合过程中,焊接温度只需要达到能使焊球凸点顶部的焊料层充分熔化的温度即可,无需焊球凸点自身熔化,降低了工艺温度,有利于减小热应力和翘曲,同时也降低了对芯片、基板、助焊剂等所有参与焊接键合过程的相关材料的高温要求。 | ||
搜索关键词: | 一种 焊球凸点 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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