[发明专利]GaN功率器件动态应力老化试验方法和系统在审
| 申请号： | 202210337482.4 | 申请日： | 2022-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN114895166A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 贺致远;陈媛;陈义强;刘昌;徐新兵;施宜军;路国光;黄云 | 申请（专利权）人： | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 潘宏洲 |
| 地址： | 511300 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种GaN功率器件动态应力老化试验方法和系统，包括：获取被测GaN功率器件对应的动态脉冲电压应力数据与温度应力数据；其中，动态脉冲电压应力数据用于周期切换被测GaN功率器件的开关状态；根据动态脉冲电压应力数据与温度应力数据得到试验条件；根据试验条件对被测GaN功率器件进行动态应力老化试验，并采集被测GaN功率器件在应力过程中的电参数；根据电参数与预设失效阈值进行比较，得到试验结果，通过施加更接近被测GaN功率器件实际工况的动态脉冲电压应力，更为真实、严苛的反映GaN功率器件的可靠性，同时在应力施加过程中在线快速监测电参数的真实退化情况，避免了离线测试与器件快速恢复特性导致测不准的难题。 | ||
| 搜索关键词： | gan 功率 器件 动态 应力 老化试验 方法 系统 | ||
【主权项】：
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