[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202210337785.6 | 申请日： | 2022-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN116940116A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 黄郁仁;谢竺君;廖修汉 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/30 | 分类号： | H10B41/30;H01L21/3115;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天尧;郝博 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括提供半导体基板，于其上形成多个浮置栅极，以及位于各浮置栅极之间的隔离结构；执行第一刻蚀工艺以凹蚀隔离结构，在各浮置栅极之间形成开口，并露出各浮置栅极的部分侧壁；顺应地形成衬层于开口中；执行离子注入工艺，将掺质注入衬层下方的隔离结构之中；以及执行第二刻蚀工艺，移除衬层以及衬层下方部分的隔离结构，使开口的底部形成渐缩的轮廓。通过本发明实施例的方法，可利用较便利的工艺进行浮置栅极之间的隔离结构的刻蚀，避免露出浮置栅极的底切结构，同时有助于后续的控制栅极的材料的填充。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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