[发明专利]图像传感器及电子设备、制作方法在审
申请号: | 202210339293.0 | 申请日: | 2022-04-01 |
公开(公告)号: | CN116936584A | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 王倩 | 申请(专利权)人: | 思特威(上海)电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 蔡光仟 |
地址: | 200120 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 一种图像传感器及电子设备、制作方法,该图像传感器包括:半导体基底,半导体基底中设有多个像素单元区以及像素隔离区;像素单元区包括:感光区、传输晶体管、浮动扩散区以及源极跟随晶体管,感光区用于将光信号转换为电信号;传输晶体管用于将电信号转移至浮动扩散区;源极跟随晶体管用于输出电信号;其中,像素单元区还包括绝缘间隔结构,绝缘间隔结构嵌入感光区,且传输晶体管设置于绝缘间隔结构中。通过将绝缘间隔结构嵌入感光区内,并将传输晶体管设置于绝缘间隔结构中,从而减小感光区与传输晶体管的传输距离,提高传输性能,减小Lag,在相同的电场梯度下进行更高的感光区掺杂,相同感光区面积下可获得更高的满阱,有效利用像素内部的面积。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 电子设备 制作方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于思特威(上海)电子科技股份有限公司,未经思特威(上海)电子科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210339293.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的