[发明专利]基于全氧化物单晶薄膜材料的磁隧道结及其制备方法有效
| 申请号： | 202210339962.4 | 申请日： | 2022-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN114497362B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 李鹏;田兵;李立浧;刘仲;吕前程;骆柏锋;尹旭;张佳明;王志明;陈仁泽;徐振恒;韦杰;谭则杰;林秉章;樊小鹏;孙宏棣;林力 | 申请（专利权）人： | 南方电网数字电网研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 熊文杰 |
| 地址： | 510700 广东省广州市黄*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于全氧化物单晶薄膜材料的磁隧道结及其制备方法，包括：半金属氧化物自由层；绝缘氧化物隧穿层，位于所述半金属氧化物参考层之上；半金属氧化物参考层，位于所述绝缘氧化物隧穿层之上；其中，所述半金属氧化物参考层和所述半金属氧化物自由层的半金属氧化物材料均为钴酸镍材料，且所述半金属氧化物参考层的厚度大于所述半金属氧化物自由层的厚度，以使所述磁隧道结的阻值在外部磁场的作用下发生改变。采用本发明的制备方法制备得到的磁隧道结材料具有更高的磁阻率和更快的响应速度，功耗更低，而且制备工艺简单，符合当今磁隧道结存储与传感器件小型化、高性能、高响应速率、低功耗的发展需求。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氧化物 薄膜 材料 隧道 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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