[发明专利]一种太阳能电池外延片及其制备方法在审
申请号: | 202210343816.9 | 申请日: | 2022-03-31 |
公开(公告)号: | CN114709289A | 公开(公告)日: | 2022-07-05 |
发明(设计)人: | 单恒升;李明慧;李诚科;刘胜威;梅云俭;宋一凡;马淑芳;许并社 | 申请(专利权)人: | 陕西科技大学 |
主分类号: | H01L31/075 | 分类号: | H01L31/075;C30B25/18;C30B29/40;C30B29/68;H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 西安鼎迈知识产权代理事务所(普通合伙) 61263 | 代理人: | 李振瑞 |
地址: | 710021*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种太阳能电池外延片及其制备方法,外延片包括从下至上依次设置的衬底、GaN成核层、GaN本征层、N型GaN层、InGaN/GaN超晶格层、U型GaN层、InGaN/GaN量子阱层、P型GaN层。本发明采用了衬底、超晶格层和高In组分的InGaN/GaN量子阱层结构,降低了位错密度,提高了光吸收率,获得结晶质量较高的外延片。与具有传统外延片的太阳能电池相比,采用高In组分的外延片制得的太阳能电池载流子收集增多,表面复合减少,在一定程度上提高了InGaN/GaN太阳能电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 外延 及其 制备 方法 | ||
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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