[发明专利]一种D-dot传感器的制作方法在审
| 申请号： | 202210344528.5 | 申请日： | 2022-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN114781132A | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 罗维熙;呼义翔;尹佳辉;张信军;杨实;张天洋;孙江;丛培天;陈伟 | 申请（专利权）人： | 西北核技术研究所 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G01R19/00 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 王少文 |
| 地址： | 710024 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种脉冲电压传感器制作方法，具体涉及一种D‑dot传感器的制作方法，应用于前沿时间在ns至百ns量级，幅值在MV级的电压脉冲D‑dot传感器设计，解决现有D‑dot传感器的电路模型过度简化，不能完整反映D‑dot传感器的响应能力，且未能明确阐述D‑dot传感器的电路参数与结构参数关系的技术问题。该D‑dot传感器的制作方法，包括以下步骤：步骤1：确定目标D‑dot传感器的结构参数；步骤2：依据待测信号，确定D‑dot传感器的设计指标；步骤3：建立D‑dot传感器的设计指标与其电路参数之间的数值关系；步骤4：建立D‑dot传感器的电路参数与其结构参数之间的数值关系；步骤5：依据步骤4获得的结构参数制作目标D‑dot传感器。能够从设计指标出发，有效的指导D‑dot传感器的主体结构设计。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dot 传感器 制作方法 | ||
【主权项】：
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