[发明专利]包括具有可变电阻的有源层的半导体器件

摘要

本申请公开了包括具有可变电阻的有源层的半导体器件。根据实施例的半导体器件包括：衬底；源电极层和漏电极层，它们彼此间隔开地被设置在所述衬底上；有源层，其被设置在所述衬底上而接触所述源电极层和所述漏电极层；以及栅电极层，其被设置在所述有源层上。该有源层包括能够解析和再吸收金属颗粒的金属氧化物。该有源层中的电阻被配置为通过金属颗粒的解析和再吸收而可逆地改变。