[发明专利]用于混合式键合的吸嘴结构在审
申请号: | 202210347405.7 | 申请日: | 2022-04-01 |
公开(公告)号: | CN116936440A | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 卢彦豪 | 申请(专利权)人: | 梭特科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/60 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 曹晔 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明提供了一种用于混合式键合的吸嘴结构,包括本体。本体开设复数第一通道,该复数第一通道沿着一预设图形间隔设置,贯穿本体的底面,并且提供第一负压及第二负压,其中,第二负压大于第一负压,底面为平面,该预设图形与该底面的形状相似,且中心相同。借此,本发明能够借由微弱的第一负压吸附晶粒且让本体保持原状,晶粒能够保持平坦,多根顶针能够轻易透过承载膜将晶粒升高,该多根顶针的相对位置无须考虑底面的曲率,降低制造顶推装置的困难度。此外,本发明能够借由较强的第二负压让本体变形且让晶粒弯曲,晶粒与晶粒放置区为中心接触,力道极小,不会损及晶粒,且无须安装弹性件,制造成本较低。 | ||
搜索关键词: | 用于 混合式 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造