[发明专利]ESD保护电路、保护方法、半导体存储器和系统在审
| 申请号： | 202210348695.7 | 申请日： | 2022-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN116936565A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 薛战;许杞安;杨航 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H02H9/04 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 陈万青;吴素花 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开实施例公开了一种ESD保护电路、保护方法、半导体存储器和系统，该ESD保护电路包括P型衬底；形成于P型衬底上方的P型肼；形成于P型肼中的第一NMOS管和第二NMOS管，且第一NMOS管的漏极与第二NMOS管的源极连接；形成于第一NMOS管的源极附近的轻掺杂漏区。 | ||
| 搜索关键词： | esd 保护 电路 方法 半导体 存储器 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
