[发明专利]一种半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210348728.8 | 申请日： | 2022-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN116936463A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 崔海波 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/308;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 高艳红 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，该制备方法包括提供衬底并在衬底一侧制备半导体层；在半导体层中制备第一开口，第一开口贯穿半导体层；在第一开口内制备刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层以及半导体层远离衬底的一侧制备电极结构；在衬底中制备连接通孔并去除刻蚀阻挡层，连接通孔在半导体层所在平面上的垂直投影与第一开口至少部分交叠；在连接通孔和第一开口内制备连接结构，连接结构与电极结构电连接。本发明实施例通过在半导体层中制备第一开口和刻蚀阻挡层，刻蚀阻挡层可以避免制备连接通孔时影响电极结构，保证半导体器件性能稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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