[发明专利]垂直型自旋轨道矩-磁性随机存取存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 202210348972.4 | 申请日： | 2022-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN116940208A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李辉辉;张云森;赵超 | 申请（专利权）人： | 北京超弦存储器研究院 |
| 主分类号： | H10N50/01 | 分类号： | H10N50/01;H10N50/10;H10N50/80;H10B61/00 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 陈丹;张奎燕 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种垂直型自旋轨道矩‑磁性随机存取存储器(SOT‑MRAM)及其制备方法。所述制备包括：基底；自旋轨道耦合层；磁性隧道结；保护层，所述保护层包括多个带有通孔的第一盖帽，所述第一盖帽包裹所述磁性隧道结的侧壁和所述顶电极的侧壁，所述第一盖帽的通孔允许所述顶电极顶部露出；磁性层，所述磁性层包括多个带有通孔的第二盖帽，所述第二盖帽包裹所述第一盖帽的侧壁，所述第二盖帽的通孔允许所述顶电极顶部露出。本申请的SOT‑MRAM的磁性层离磁性隧道结的自由层较近，可以更好地提供辅助磁场，且能起到一定的磁屏蔽强化作用，而且制备工艺简单、交叉污染的风险小、形貌均一性易控制。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 自旋 轨道 磁性 随机存取存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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