[发明专利]一种锰离子插层且氮化的MXene的制备方法及其制备装置在审
| 申请号： | 202210349324.0 | 申请日： | 2022-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN115259155A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 孙俊良;李海生 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C01B32/90 | 分类号： | C01B32/90;B01F27/13;B01F33/452;B01F35/53;B01F35/71 |
| 代理公司： | 北京壹川鸣知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11765 | 代理人： | 刘江琳 |
| 地址： | 100871 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明属于材料制备技术领域，具体的说是一种锰离子插层且氮化的MXene的制备方法及其制备装置，包括搅拌机体；所述搅拌机体的顶部安装有搅拌料腔；所述搅拌料腔为上小下大的圆台形设置；所述搅拌料腔的内部安装有搅拌叶片；所述搅拌料腔的内部设有若干个挡料架；所述挡料架在搅拌料腔的内部呈圆周阵列规律排列；所述挡料架的内部固接有网状刀片；通过在搅拌料腔的内部设置挡料架，在挡料架的内部设置网状刀片的结构设计，实现了可使得混合液的搅拌更加均匀的功能，有效解决了搅拌过程中，出现搅拌不均匀的情况，使得搅拌的效果受到影响的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 氮化 mxene 制备 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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