[发明专利]一种半导体设备及其基片处理方法

摘要

一种半导体设备及其基片处理方法，半导体设备包含成核腔和至少一个处理腔，温度控制系统将成核腔维持为第一温度，将处理腔维持为第二温度，气体控制系统控制含钨气体输入成核腔执行成核工艺，气体控制系统控制不含碳及金属原子的处理气体输入处理腔对执行过成核工艺的特征区内靠近所述开口的上段执行保形抑制处理工艺，使其不阻挡所述特征区内远离开口的下段沉积。本发明在利用不同腔室实现温度分别控制的基础上，通过气体控制系统实现对不同操作工艺的压力和气体流速的调节，无需对基片的制程温度进行反复调节，保持了工艺的稳定性，节省了制程时间，实现了温度、压力、气体流速的全面调节，扩大了制程窗口，满足了制程需求。