[发明专利]一种钙钛矿双层异质结及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202210350539.4 | 申请日： | 2022-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN114927616A | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 王亚飞;邹涛;邹天成 | 申请（专利权）人： | 王亚飞;邹涛;邹天成 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/50;H01L51/48;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京一枝笔知识产权代理事务所(普通合伙) 11791 | 代理人： | 汪二照 |
| 地址： | 457000 河南省濮阳*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种钙钛矿双层异质结及其制备方法和应用，包括：钙钛矿薄膜和钙钛矿衬底；使用溶剂溶解第一钙钛矿，制备钙钛矿溶液；通过气相沉积或气相辅助沉积的方法，将第二钙钛矿制备成钙钛矿衬底；将钙钛矿溶液通过溶液法沉积在第二钙钛矿衬底上，形成钙钛矿薄膜后，制备成钙钛矿双层异质结；钙钛矿薄膜由以范德华键为主要化学构成的由相比较第二钙钛矿包含范德华键至少1.2倍的第一钙钛矿制备而成；钙钛矿衬底由以离子键和/或共价键为主要化学构成的第二钙钛矿制备而成；钙钛矿双层异质结用于制备太阳能电池、光电探测器、发光二极管、发光三极管等，本发明提到的双层异质结提高了光电器件的性能，以及降低了钙钛矿双层异质结的制备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钙钛矿 双层 异质结 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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