[发明专利]一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片有效
| 申请号： | 202210353136.5 | 申请日： | 2022-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN114497302B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 孙建建;纪东;牛群磊;曹敏;姜湃;孙彬耀;陈铭胜 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 刘红伟 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片，LED外延片包括由第一折射率层和第二折射率层依次交替生长而成的布拉格反射镜层，第一折射率层为AlAs层，第二折射率层为AlGaAs层，且第一折射率层和第二折射率层皆掺杂Si，其中，第一折射率层包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，第二折射率层包括依次层叠的第四子层、第五子层和第六子层，第二子层和第五子层中掺杂Si的浓度较高。本发明旨在解决现有技术中，由于掺杂浓度较高，AlAs/AlGaAs界面切换时，不利于形成陡峭的掺杂界面，导致布拉格反射镜层的反射率下降的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 生长 方法 芯片 | ||
【主权项】：
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