[发明专利]芯片及其制备方法、终端在审
| 申请号： | 202210355856.5 | 申请日： | 2022-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN116936473A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 万光星;高健;陈尚志;刘燕翔 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 王洪 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请提供一种芯片及其制备方法、终端，涉及半导体技术领域，可以通过降低第一间隔层和第二间隔层的综合介电常数，来降低边缘寄生电容，以提高FinFET的性能。该芯片包括鳍式场效应晶体管，鳍式场效应晶体管的制备方法，包括：在衬底上依次形成假栅极和第一间隔层；第一间隔层设置于假栅极的相对两侧。接着，形成源极和漏极；沿第一间隔层指向假栅极的方向，源极和漏极分设于鳍式场效应晶体管的沟道区域的相对两侧。在第一间隔层背离假栅极侧，形成第二间隔层；第二间隔层的介电常数小于第一间隔层的介电常数。接着，去除假栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 及其 制备 方法 终端 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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