[发明专利]一种超结MOSFET及其制作方法在审
| 申请号： | 202210356421.2 | 申请日： | 2022-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN116936633A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李平;马荣耀 | 申请（专利权）人： | 华润微电子（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/49;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 401331 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种超结MOSFET及其制作方法，该超结MOSFET包括衬底、缓冲区、第一导电类型柱、第二导电类型柱、体区、源区、体接触区、栅极结构、源极及漏极，其中，缓冲区堆叠于衬底的上方；第一导电类型柱及第二导电类型并列邻接于缓冲区的上表面；体区堆叠于第二导电类型柱上；源区与体接触区邻接且均位于体区的上表层；栅极结构包括栅介质层、第一栅极及位于第一栅极两侧的第二栅极，源极覆盖器件的上表面，漏极覆盖衬底的底面。本发明通过对栅极结构的设计，第一导电类型的第一栅极及至少包括第二导电类型掺杂区的第二栅极代替栅极，降低了漏源电压较低时的米勒电容，不改变漏源电压较高时的米勒电容，且器件的导通电阻不变。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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