[发明专利]相变存储材料和其制备方法、相变存储芯片及设备在审

专利信息
申请号: 202210356787.X 申请日: 2022-04-06
公开(公告)号: CN116940224A 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 陈鑫;李响 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: H10N70/20 分类号: H10N70/20;H10B63/00
代理公司: 北京亿腾知识产权代理事务所(普通合伙) 11309 代理人: 刘辰雷;陈霁
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 本申请涉及数据存储技术领域,具体涉及一种相变存储材料和其制备方法、相变存储芯片及设备,该相变存储材料包括TiaSbbTecDd所示的材料;其中,a代表Ti的原子个数百分比,b代表Sb的原子个数百分比,c代表Te的原子个数百分比,d代表D元素的原子个数百分比,a+b+c+d=1;3%≤a≤45%,且0.5≤(b:c)≤3;D为掺杂元素,0≤d≤15%。该相变存储材料具有较低的操作功耗和操作时延。
搜索关键词: 相变 存储 材料 制备 方法 芯片 设备
【主权项】:
暂无信息
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