[发明专利]一种三态发光量子点超辐射发光二极管及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202210359299.4 申请日: 2022-04-07
公开(公告)号: CN114597292A 公开(公告)日: 2022-06-07
发明(设计)人: 张子旸;姚中辉;陈红梅;蒋成;王洪培 申请(专利权)人: 青岛翼晨镭硕科技有限公司
主分类号: H01L33/06 分类号: H01L33/06;H01L33/46;H01L33/00
代理公司: 青岛申达知识产权代理有限公司 37243 代理人: 蒋遥明
地址: 266000 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及一种三态发光量子点超辐射发光二极管及其制造方法,其技术方案的要点是超辐射发光二极管包括巴条,所述巴条包括从下到上依次设置的N‑GaAs衬底层、N‑GaAs缓冲层、N‑AlGaAs下包层、GaAs下波导层、In(Ga)As量子点有源区、GaAs上波导层、P‑AlGaAs上包层、P+‑GaAs欧姆接触层;所述巴条的顶面设置有与巴条中心面倾斜相交的脊型波导;所述巴条的前腔面设置有中心波长为1000nm的ZrO2增透膜涂层;所述巴条的后腔面设置有若干对中心波长为880nm的Ta2O5/SiO2高反射涂层;制造方法包括,步骤S1,外延结构生长;步骤S2,脊型波导蚀刻加工;步骤S3,电极加工;步骤S4,光学镀膜加工;本发明的超辐射发光二极管能够同时具有高功率和宽光谱的特性,能够良好的适用于OCT系统等非相干光学系统。
搜索关键词: 一种 三态 发光 量子 辐射 发光二极管 及其 制造 方法
【主权项】:
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