[发明专利]一种硒氧化铋二维垂直鳍(Fin)阵列及其晶圆级批量化制备方法在审
| 申请号： | 202210359418.6 | 申请日： | 2022-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN116936366A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 彭海琳;谭聪伟 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/24;H01L29/78;C30B29/64;C30B29/46;C30B25/18 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵静 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明公开了一种硒氧化铋二维垂直鳍(Fin)阵列及其晶圆级批量化制备方法。该方法，包括如下步骤：以LaAlO |
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| 搜索关键词： | 一种 氧化 二维 垂直 fin 阵列 及其 晶圆级 批量 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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