[发明专利]一种InGaN可见光探测器及其制备方法和应用

摘要

本发明提供一种InGaN可见光探测器及其制备方法和应用，所述探测器包括从下到上依次设置的衬底、缓冲层、InGaN功能层和Ti3C2电极；所述缓冲层为从下到上依次设置的AlN层、AlGaN层和GaN层。通过在InGaN功能层上设置Ti3C2电极使InGaN蓝光探测器具有自供电特性，并提升了响应度，减小暗电流；同时Ti3C2具有高透光性和导电性，可以增大器件受光面积，增强载流子寿命，提升载流子迁移速率，减小漏电。