[发明专利]一种GaN基双沟道HEMT及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202210360444.0 | 申请日： | 2022-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN114883403A | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 李国强;曾凡翊;邢志恒;吴能滔;李善杰 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40;H01L29/10;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 齐键 |
| 地址： | 510641 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基双沟道HEMT及其制备方法和应用。本发明的GaN基双沟道HEMT的组成包括依次层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、GaN下沟道层、第一AlGaN势垒层、GaN上沟道层、第二AlGaN势垒层、GaN帽层和钝化层，缓冲层同一面的两端分别设置有源极金属电极和漏极金属电极，GaN下沟道层、第一AlGaN势垒层、GaN上沟道层、第二AlGaN势垒层、GaN帽层和钝化层均设置在源极金属电极和漏极金属电极之间，钝化层中还设置有至少部分嵌入钝化层的栅极斜场板和栅漏场板。本发明的GaN基双沟道HEMT的耐压和抗击穿性能强、可靠性高，适合进行大规模推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 沟道 hemt 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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