[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括相背的正面和背面，基底包括多个器件单元区，基底正面的器件单元区上形成有晶体管，晶体管包括位于基底正面的有源区、位于有源区上的栅极结构、位于栅极结构两侧的有源区内的源漏掺杂区、位于栅极结构侧部且覆盖源漏掺杂区的层间介质层以及位于层间介质层中的源漏互连层，源漏互连层与源漏掺杂区相接触；形成贯穿背面的相邻器件单元区之间基底的掩埋沟槽、以及贯穿掩埋沟槽下方的层间介质层的通孔，通孔暴露出源漏互连层；对掩埋沟槽和通孔进行填充，形成位于掩埋沟槽内的掩埋电源轨、以及位于通孔内的导电插塞，导电插塞与源漏互连层相接触。本发明提高工艺兼容性，优化半导体结构的性能。