[发明专利]IGBT器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202210366889.X | 申请日： | 2022-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN116936626A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 范让萱;缪进征;王鹏飞;刘磊;龚轶 | 申请（专利权）人： | 苏州东微半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 初春 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明实施例提供的一种IGBT器件，包括n型半导体层，在所述n型半导体层内形成的：p型集电极区；位于所述p型集电极区之上的n型场截止区；位于所述n型场截止区之上的n型漂移区；延伸入所述n型漂移区内的若干个沟槽，所述沟槽包括上部的第一沟槽和下部的第二沟槽，所述第一沟槽的宽度大于所述第二沟槽的宽度；位于所述第二沟槽内的p型柱；位于所述第一沟槽内且位于所述p型柱上方的绝缘介质层；位于所述第一沟槽内且靠近所述第一沟槽的侧壁位置处的栅氧化层和栅极；位于相邻的所述第一沟槽之间的p型体区，位于所述p型体区内的n型发射极区；位于所述p型体区下方且位于相邻的所述沟槽之间的n型电荷存储区。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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