[发明专利]半导体器件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202210369913.5 申请日: 2022-04-08
公开(公告)号: CN116936504A 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 申健;程宗哲 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: H01L23/373 分类号: H01L23/373;H01L21/50;H01L21/78
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 张宁
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 本公开的实施例提供了一种半导体器件及其制造方法。该方法包括:提供过程衬底;在过程衬底的表面上以同质外延的方式形成器件外延层;在器件外延层的背离过程衬底的表面上键合器件衬底;以及将过程衬底与器件外延层分离。通过本公开的方案,可以获得高质量和高性能的半导体器件,同时降低半导体器件的制造成本并改善衬底的散热。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华为技术有限公司,未经华为技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210369913.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top