[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
申请号: | 202210369913.5 | 申请日: | 2022-04-08 |
公开(公告)号: | CN116936504A | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 申健;程宗哲 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H01L23/373 | 分类号: | H01L23/373;H01L21/50;H01L21/78 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 张宁 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本公开的实施例提供了一种半导体器件及其制造方法。该方法包括:提供过程衬底;在过程衬底的表面上以同质外延的方式形成器件外延层;在器件外延层的背离过程衬底的表面上键合器件衬底;以及将过程衬底与器件外延层分离。通过本公开的方案,可以获得高质量和高性能的半导体器件,同时降低半导体器件的制造成本并改善衬底的散热。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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