[发明专利]降低涂布液喷射到晶圆产生的波纹的高度的方法和装置在审
申请号: | 202210372132.1 | 申请日: | 2022-04-11 |
公开(公告)号: | CN116936350A | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 金成昱;梁贤石;林锺吉;金在植;张成根 | 申请(专利权)人: | 成都高真科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/67 |
代理公司: | 成都行之专利代理有限公司 51220 | 代理人: | 张杨 |
地址: | 610000 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明涉及半导体器件技术领域,公开了一种降低涂布液喷射到晶圆产生的波纹的高度的方法,包括如下步骤:步骤1、产生一个向上的空气阻力;步骤2、所述空气阻力在涂布液喷射到距离晶圆的表面上方A毫米的地方与涂布液接触,以减小所述涂布液到所述晶圆的速度,本发明还公开了一种降低涂布液喷射到晶圆产生的波纹的高度的装置,包括用于垂直喷射涂布液的涂布装置,所述涂布装置为涂布液供给机构以及涂布喷嘴,所述涂布喷嘴上方的外周向侧设置有用于产生空气压力的空气发生装置。本发明通过在喷射喷涂液的时候利用空气发生装置产生空气阻力,该空气阻力与喷涂液在晶圆表面的上方接触,进而来达到减少喷涂液撞击晶圆表面所产生波纹的目的。 | ||
搜索关键词: | 降低 涂布液 喷射 到晶圆 产生 波纹 高度 方法 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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