[发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构在审
| 申请号： | 202210373096.0 | 申请日： | 2022-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN116936465A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 徐陈明;林红波;武贺 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3213;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 张洁;黄健 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请实施例属于半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体结构的制作方法及半导体结构。该半导体结构的制作方法包括：提供基底，基底上覆盖有导电层；干法蚀刻去除部分导电层，以形成第一凹槽，第一凹槽的深度小于导电层的厚度，第一凹槽的槽壁上有聚合物残留；去除第一凹槽的槽壁和槽底对应的部分导电层，以形成导电线以及位于相邻导电线间的第二凹槽；形成钝化层，其填充在第二凹槽内。通过去除第一凹槽的槽壁对应的部分导电层，可以同时去除沉积在第一凹槽的槽壁上的聚合物残留，避免后续在第二凹槽内填充钝化层时提前封口，避免钝化层内部出现缝隙。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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