[发明专利]基于弛豫铁电单晶的电光调Q开关在审

专利信息
申请号: 202210373915.1 申请日: 2022-04-11
公开(公告)号: CN114725767A 公开(公告)日: 2022-07-08
发明(设计)人: 田浩;李飞;谭鹏;金昕宇 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: H01S3/115 分类号: H01S3/115
代理公司: 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 代理人: 张利明
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一种基于弛豫铁电单晶的电光调Q开关,属于激光器技术领域。本发明针对现有电光调Q开关存在的成本高和难以小型化的问题。包括:光纤耦合半导体激光器产生激光脉冲经后反射镜透射后通过Nd:YVO4晶体实现波长转换并增益放大,经偏振分束器输出线偏振光;PIN‑PMN‑PT晶体无外加电压时线偏振光经四分之一波片、八分之一波片和PIN‑PMN‑PT晶体相位延迟后,被输出镜反射后反向传播时无法通过偏振分束器;谐振腔为低Q状态;PIN‑PMN‑PT晶体外加电压时线偏振光经四分之一波片、八分之一波片和PIN‑PMN‑PT晶体后的透射光被输出镜反射后再反向传播到达后反射镜;谐振腔为高Q状态。本发明实现了低驱动电压和小型化的Q开关。
搜索关键词: 基于 弛豫铁电单晶 电光 开关
【主权项】:
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